半導体の微細化技術

Nature
Survey
Author

司馬 博文

Published

3/23/2024

概要
半導体デバイスの微細化技術をレビューする.

(内山貴之, 2015) より.

(内山貴之, 2015) より.

1 EUV リトグラフィ

極端紫外線リソグラフィ (Extreme Ultraviolet Lithography) は波長 13.5 nm で露光する技術である.

オランダの ASML 社が唯一 EUV 露光装置を製造している.

China asks Netherlands, with world-leading chipmaking equipment, to not decouple

ここまで短い波長では光を透過するレンズはなく,反射鏡で光学系を構成する必要がある.13.5 nm という波長はミラーの反射率の極大点の1つをとって決定された. \(0.68^{12}=0.98\) というように重ねて用いる.

(内山貴之, 2015) より.

References

内山貴之. (2015). 半導体向けEUVリソグラフィの現状と展望. 東芝. Retrieved from https://www.heas.jp/lecture/files/uchiyama.pdf